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更新時間：2026-01-14 
瀏覽次數：19在半導體材料領域，碳化硅（SiC）因其優異的物理性能，正逐漸成為新能源汽車、5G通信等高功率器件的首的選材料。然而，SiC晶圓的加工卻是一項極的具挑戰的工程——它硬度極的高、脆性大，傳統的研磨工藝往往面臨著效率低、成本高、表面缺陷多的難題。
Noritake（則武）推出的LHA墊®（Loosely Held Abrasive），作為一種革命性的“砥粒內包型研磨工具"，正在打破這一僵局。它通過獨特的結構設計，不僅實現了**“無需研磨液"**的突破，更在效率與品質上樹立了新的標的桿。
傳統的研磨工藝通常依賴于將磨料（砥粒）混合在液體中（即研磨液/Slurry），通過研磨墊將磨料帶到晶圓表面進行切削。這種方式不僅消耗大量昂貴的研磨液，還容易導致磨料團聚，造成晶圓表面劃痕。
LHA墊®采用了完的全不同的思路。它將砥粒內包于纖維狀的母材樹脂中，形成一種**“非的完的全固定"**的結構。
技術原理： 砥粒并非像傳統砂紙那樣被死死粘住，而是被“松散地保持"在樹脂內部。
作用機制： 在研磨壓力和化學液體的作用下，砥粒會從樹脂中逐漸露出并脫落，始終保持鋒利的切削狀態。
LHA墊®最的大的顛的覆性在于它不需要使用含砥粒的研磨液（Slurry）。
單一耗材： 僅需配合化學性質穩定的液體（如KMnO4系酸性研磨液，且不含砥粒）即可。
成本降低： 省去了昂貴的含粒研磨液，大幅降低了耗材成本。
流程簡化： 由于不需要頻繁調整研磨液的配比和流量，工藝流程變得更加簡單易控。
在6英寸SiC晶圓的實際加工測試中，LHA墊®展現出了驚人的性能。
?? 性能對比實測數據
| 加工方式 | 研磨能率 (nm/h) | 表面質量 | 壽命表現 |
|---|---|---|---|
| LHA墊® + 酸性液 | 1600 (最的高可達1800) | 無劃痕 (Scratch-less) | 3倍以上 |
| 傳統無紡布墊 + 研磨液 | 1000 | 存在劃痕風險 | 標準 |
| 硬質聚氨酯墊 + 研磨液 | 1300 | 一般 | 較短 |
效率提升1.6倍： LHA墊®的研磨能率約為傳統無紡布墊的1.6倍，加工速度從1000nm/h提升至1600nm/h，顯著縮短了加工時間。
零劃痕加工： 得益于其獨特的化學機械研磨（CMP）效果，LHA墊®能夠實現**“單工序無劃痕"**，省去了后續復雜的拋光工程。
超長壽命： 由于結構穩定，其使用壽命是傳統產品的3倍以上，進一步攤薄了單片晶圓的加工成本。
除了效率和成本，LHA墊®還擁有極的強的環境適應能力。
耐藥性強： 它可以在pH值3~11（強酸至弱堿）的廣泛化學環境下穩定使用。
規格靈活： 提供外徑φ940mm以下或更大尺寸的分割設計，表面可選同心圓溝槽或無溝槽類型，滿足不同設備的定制需求。
Noritake的LHA墊®不僅僅是一款新的研磨工具，更是一次對SiC晶圓加工工藝的深度重構。它通過**“內包型"結構剔除了昂貴的研磨液成本，用“高能率"**解決了SiC難加工的痛點。
對于追求降本增效的半導體制造企業而言，LHA墊®提供了一個高效、環保且經濟的全新解決方案，正在引的領硬脆材料研磨技術的未來。
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